Photo Resist Stripper
ST–1026은 반도체 공정 중 PR(Photo Resist)의 Strip 공정에 사용되는 수지용해제로서 Etching 후 표면조도를 변화시키지 않고 PR막을 제거하여 Al전극막의 패턴을 형성시키는 기능이 뛰어나며, 할로겐 용제와 같이 환경문제를 일으키지 아니하며 수지 제거 시 뛰어난 용해기능을 나타냅니다.특히 수지용해 후의 수세 공정 시에 잔사분의 세정력이 뛰어날 뿐만 아니라 타 용제에 비해 2 ~ 3배 이상의 세정효율을 높일 수 있습니다.
[특징]
- PR 제거 후 잔사분이 남지 않음
- 수세 시 wetting성이 뛰어남
- PR strip 속도가 타사품에 비해 2배 이상 빠름
- 소지(Si wafer, GaAs wafer, Sodalime glass 등)에 손상이 없음
- Metal 증착층(Ni, Au, Al, Ti, ITO, Cr)에 손상이 없음
- Positive 및 negative type PR 모두 제거 가능
- Lift off용 PR Stripper로도 사용 가능
[적용방법]
| 사용조건 | ST-1026 | IPA | 순수세 | 건조 |
| 농도범위 | 원액 | 원액 | - | - |
| 온도범위 | 40~80℃ | 상온~80 ℃ | - | - |
| 조 건 | Dip or 초음파 | Dip or 초음파 | - | - |
| 시 간 | 3~30 min | 3~30 min | - | - |
[적용분야]
- Semiconductor, PDP, LCD, 유기 EL 등
[ST-1026의 기본 원리]
